工艺开发实验室和铸造服务团队由一批著名的工艺和工具工程师以及晶圆计量专家组成。 我们帮助客户确定其化学机械抛光 (CMP) 需求，并与客户合作定制设计和开发符合其需求的 CMP 工艺和先进晶片解决方案，以制造未来的设备。
需要碳化硅加工？ Axus Technology 一直致力于为先进的单晶片碳化硅 (SiC) CMP 应用开发和改进领先的 CMP 工艺性能和硬件能力。 这些工作的主要重点包括 1) 薄/易碎晶圆处理的可靠性、 2) 优质基板平整度（TTV）、 3) 基底表面质量，以及 4) 降低拥有成本（CoO）。
基于最先进的Capstone®CMP 系统结构，再加上我们专为易碎晶圆处理和先进的轮廓控制而设计的 Crystal carrier，Axus 已经实现并展示了工艺性能，迄今为止已达到或超过所有客户的规格要求。
如下图 1 所示，Axus 已经成功处理和加工了 150mm 直径的 SiC 基底面，其 SEMI 标准厚度从 350 微米降至 175 微米，无需临时粘接或处理晶圆来支撑这些基底面。
图 1. 上图中的晶片直径扫描显示了 150 毫米的碳化硅基板，CMP 前的平均厚度为 171 微米。 下图中的晶片直径扫描显示，CMP 后的同一晶片平均厚度为 170.4 微米。 还要注意的是，在 CMP 期间，TTV 会减少。
如图 1 所示，除了易碎晶圆处理能力外，晶体载体还能在 CMP 过程中精确控制材料去除曲线，从而使客户能够减少 CMP 前的热转印（TTV），并生产出高质量的亚微米热转印基底。 市场对此类基板的需求将继续推动碳化硅晶片的高端定价和供应商的利润率。
在其他情况下，Axus 已在客户工艺演示中展示了在全 CMP 处理（硅面和 C 面）期间将基底 TTV 降低数微米的能力。
在表面质量优化方面，Axus 与Capstone® 上的 CMP 耗材开发和工艺优化密切合作。 这些努力的结果是，只需一步工艺就能获得亚安氏（Ra）表面光洁度，见下图 2。
图 2. 单步抛光后硅面的原子力显微镜图像，显示 0.8 埃 Ra 的表面光洁度。
Capstone®是市场上唯一同时支持单晶片和双晶片加工的先进 CMP 工具。 事实证明，与目前成熟的 CMP 工具上使用的记录工艺相比，双晶圆工艺可将 CMP 耗材的 CoO 降低 50%。
由于减少碳化硅 CMP CoO 需要更快的去除率和相应的工艺吞吐量，因此与硅等其他更成熟的 CMP 应用相比，碳化硅 CMP 工艺通常以更高的晶片压力和旋转速度（也称为 PV 值（压力 x 速度））运行。 随着 PV 值的增加，制程温度会成为一个限制因素。
Axus 开发了一种专有的工艺冷却系统，可实现高 PV 值 CMP 工艺，在不超过 CMP 工艺其他组件（尤其是抛光垫）最高温度限制的情况下，大幅提高材料去除率。 见下图 3。
图 3. 在 5 psi 晶圆压力下，采用 Axus Technology 开发的制程冷却技术和不采用该技术的制程温度差（基于高温计测量的焊盘表面温度）。
制程温度控制进一步实现了双晶圆制程，可在单晶圆和双晶圆制程情况下管理制程温度。 基于Capstone®架构，两个压盘可同时进行双晶圆处理，从而同时并行处理四个晶圆。 Capstone®是市场上唯一能够并行处理如此多晶圆的先进 CMP 工具，进一步提高了吞吐量优势。
最近的工艺改进使硅表面的材料去除率超过了每小时 10 微米。作为先进单晶片碳化硅 CMP 的重大行业突破，Axus Technology 为碳化硅晶圆供应商提供了市场上最先进的 CMP 系统和无与伦比的性能优势。 最先进的 Capstone
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CMP 系统与我们的 Crystal carrier（专为易碎晶片处理和先进的轮廓控制而设计）相结合，可生产出具有亚微米 TTV 和亚安氏表面光洁度的优质碳化硅基底。 Capstone
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用户可提高产量，同时大幅减少耗材用量和拥有成本 (CoO)。
