什么是晶圆研磨/减薄？
晶圆背磨，又称晶圆减薄，是半导体器件制造 ， ，在这一过程中，晶圆厚度被减薄，以便于堆叠和高密度封装 集成电路 (IC)。
集成电路是在半导体 晶圆 上生产的，需要经过许多加工步骤。 目前常用的硅片厚度大约为 750 μm ，以确保最大程度的机械稳定性，避免在高温加工步骤中发生翘曲。
智能卡、USB 记忆棒、智能手机、手持音乐播放器和其他超小型电子产品，如果不在所有尺寸上尽量减小其各种组件的尺寸，就不可能有现在的外形。 因此，在 晶圆切割 （单个微芯片在此切割）之前，晶圆背面会被 “研磨 “或 “减薄”。 如今，薄至 75 至 50 μm 的晶片已很常见。
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